イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる。

イオン注入とはイオン化した物質を固体に注入することによって、その固体の特性を変化させる加工方法です。半導体製造における前工程などでは、イオン注入を用いることによって、ウェハに適度な不純物を導入することができ、半導体デバイス特性を向上させることができます。

下図の通り、室温注入と高温（500℃）注入でのダメージの差が大きいことがわかります。
⇒高温注入することによって、半導体への注入ダメージを緩和することができます。

下図の通り、高温（500℃）注入後のアニール処理でさらにダメージを抑えることがわかります。