低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備。世界でも数社しか技術を持たない高温イオン注入が可能であるという、トップレベルの技術と設備を誇ります。高温イオン注入は、次世代のパワーデバイスとして注目される「SiC」などの化合物半導体に適しており、パワーエレクトロニクスや環境エネルギーの分野への新たな展開へとつながる技術です。
サービス
研究開発のためのサンプル作成から、半導体の製造における一部工程の請負まで、多様なサービスを展開しています。
チップひとつから6インチウェハーまで、幅広くきめ細やかなサイズ対応を行っています。
どのような依頼にも臨機応変にお応えするサービスを心がけていますので、お気軽にお問い合わせください。
技術
注入可能なイオンは60種類以上
B、P、N、CだけでなくAl、F、Si原子など60種類以上の原子が注入可能です。
幅広い注入条件に対応
10keVから8MeVまで多彩な注入装置を備えており、さまざまな加工ニーズに対応しています。
SiC等の化合物半導体へのイオン注入も可能です。
●試料サイズ：1cm角のチップ小片〜6インチウェハー
●試料の種類：Si SiC GaN InP MgO GaAs 石英 その他多種
●エネルギー：10keV〜5ＭeV
●温度：室温〜600℃
●イオン種 ：60種以上
●試料の種類：Si SiC GaN InP MgO GaAs 石英 その他多種
●エネルギー：10keV〜5ＭeV
●温度：室温〜600℃
●イオン種 ：60種以上
化合物半導体基板の高温アニール処理が可能
1800℃までの高温加熱が可能な高速高速アニール装置により、イオン注入を行ったSiC,GaN等の化合物半導体基板の活性化処理が可能です。
注入後の分析・評価が可能
分析事業を展開しているイオンテクノセンターだからこそ、注入後の分析と評価が可能となりました。注入深さ、組織などを確認し、確実な結果をご報告することができます。
装置
■
中電流イオン注入装置
- 200keV(B) イオン注入装置の紹介
- 200keV(C) イオン注入装置の紹介
- 400keV イオン注入装置の紹介
■ 高エネルギーイオン注入装置
- 8MeV イオン注入装置の紹介
■ 高温高速アニール装置
- 高温高速アニール装置の紹介
実績
以下をクリックするとPDFが立ち上がります。