イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる。

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イオンテクノセンターのイオン注入技術は、エレクトロニクス製品の進化に不可欠な「半導体デバイス」分野において、非常に重要な役割を果たしています。例えば、そのエネルギー効率の高さから、日本産業界にパラダイムシフトを引き起こすといわれている次世代のパワー半導体、SiC（炭化シリコン）。SiCへの高温加熱イオン注入は、世界でも数社しか設備と技術を持たない高度なテクノロジーですが、当社イオンテクノセンターにおいて可能です。