電磁波や荷粒電子を用いた物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています。
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。
サービス
受託分析
お客様からサンプルを預かり、分析結果を報告します。ご相談により分析手法をご提案させていただきます。
立会い分析
お客様に立ち会っていただき、その場で分析条件の設定から最終結果までを確認していただきます。
装置
■表面分析
- 二次イオン質量分析（SIMS）の紹介
- X線光電子分光分析（ESCA・XPS）の紹介
- ラマン分光分析（RAMAN）の紹介
- ラザフォード後方散乱分析（RBS）の紹介
■微少領域形態観察
- 透過電子顕微鏡（HR-TEM）の紹介
- 走査電子顕微鏡（HR-SEM）の紹介
- ナノ微少硬度計（Nano Indentation）の紹介
- 原子間力顕微鏡（AFM）の紹介
- X線回析装置（XRD）の紹介
■熱分析
- 示差熱重量分析(TGD)の紹介
- 示差走査熱量分析(DSC)の紹介
- 比熱測定(SHM)の紹介
分野
例えばこのような情報が知りたいときには・・・
| 分野 | 分析使用装置 | 得られる主な情報 |
|---|---|---|
| 半導体材料関連 薄膜 デバイス イオン注入試料 |
HR-TEM | 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 |
| HR-SEM | 表面形状、断面構造（膜厚） | |
| XRD | 結晶性（面方位）、積層膜の周期構造 | |
| XPS/ESCA | 表面組成、結合状態、深さ方向分布 | |
| SIMS | 不純物濃度、深さ方向分析 | |
| RAMAN | 結合状態、応力歪 | |
| RBS | 構成元素、組成 | |
| Nano Indentation | 表面のヤング率、硬度 | |
| 機能性薄膜関連 DLCなどの表面処理 その他コーティング |
HR-TEM | 表面ダメージ観察 |
| HR-SEM | 表面形状 | |
| XPS/ESCA | 組成、結合状態（高濃度の場合）、深さ方向分析 | |
| SIMS | 不純物濃度、深さ方向分析 | |
| RBS/ERDA | 構成元素、組成 | |
| 素材・電子部品 パウダー（微粒子） CNT、グラファイト プリント基板等 |
HR-TEM | 粒径、結晶構造 |
| HR-SEM | 粒径、表面形状（凝集） | |
| XRD | 結晶構造 | |
| XPS/ESCA | 組成、面分析 | |
| RAMAN | 結合状態 |
新分析提案
実績
以下をクリックするとPDFが立ち上がります。
SIMS
- 酸素リークによるSIMS深さ分析
- アルミイオン注入SIMS 深さ分析
- 砒素イオン注入SIMS 深さ分析
- 燐イオン注入SIMS 深さ分析
- SiC 基板へのAl イオン注入SIMS 深さ分析
- GaN 基板へのSi イオン注入SIMS 深さ分析
- 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定
- 組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化
ESCA
- ESCA による多層膜の深さ分析
- ESCA による異物分析
- ESCA による化学結合分析
- マイクロESCA による分析
- マイクロESCA によるマッピング
- ESCA による酸化膜の角度分解分析_1
- ESCA による酸化膜の角度分解分析_2
- ESCA によるプリント基板電極組成分析
RAMAN
- Si on SiC基板におけるSiの応力測定
- 偏向ＲＡＭＡＮによる４Ｈ−ＳｉＣの評価
- RAMAN によるシリコンの分析
- RAMAN によるカーボン材料の分析
- RAMAN によるカーボンナノチューブの分析
- RAMAN によるチタン化合物の分析
- RAMAN によるDLC の分析
- RAMAN による歪みSi-SiGe の分析
RBS，ERDA
HR-TEM
- 高分解能TEM によるSiC（６H）の観察
- 高分解能TEM による界面の観察
- 高分解能TEM による量子井戸構造観察
- カーボンナノチューブの観察例
- SiC(4H)のHR-TEM 観察
- HR-TEM による４H-SiC の観察
- HR-TEM によるSiC-3C の観察
- HR-TEM によるSiC-3C 膜の観察
- HR-TEM によるデルタドープ層の観察
- HR-TEMによるイオン注入欠陥の観察
- HR-TEM による歪みシリコンの観察
- HR-TEM による半導体レーザー素子の観察
- HR-TEM によるSiC ポリタイプ変形観察
- FIB によるTEM サンプル加工
- ４H-SiCのHR-TEM観察
- ４H-SiCエピ層の積層欠陥のHR-TEM観察
- FIBｻﾝﾌﾟﾘﾝｸﾞ手法改善によるHR-TEM像質の向上
XRD
その他