Q&A | 株式会社イオンテクノセンター

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また、弊社ホームページの「簡易見積り」をご利用下さい。

弊社ホームページの「申込書ダウンロード」から、申込書をダウロードしていただき、必要事項をご記入の上、e-mailもしくはＦＡＸにて送付ください。

B、P等一般的なドーパント以外に、Al、F、Siなど60種類以上の原子が注入可能です。また、2009年度より、Ru　Ne　Zｒ　Sb　Ir　Pt　Au　におきましても注入サービスを開始しております。
対応イオン種表へ

高温イオン注入は、次世代のパワーデバイス用途として注目される「SiC」などの化合物半導体に適しており、パワーエレクトロニクスや環境エネルギーの分野への新たな展開へとつながる技術です。弊社では、室温から600度までの温度に対応しております。

弊社では、アニール処理も可能ですので、申込みの際お申し付けください。SiCにつきましては　1800℃までの高温アニール処理が可能です。

小片チップひとつから6インチウェハまで、幅広いサイズ対応を行っています。半導体ウェハ以外のサンプルについても御相談下さい。（高温注入は3インチまでの対応となります。）

弊社では、8MeＶまでの注入装置を完備。世界でも数社しか技術を持たない高温イオン注入が可能です。

弊社技術営業部まで、直接お問合わせください。最適な分析手法や装置をご提案させていただきます。
【技術営業部】
TEL:072-859-6601 FAX:072-859-5770
E-mail:info@iontc.co.jp

弊社では、お客様に立ち会っていただき、その場で分析条件の設定から最終結果までを確認していただくことが可能です。

基本的には、イオン注入で約1週間、分析で約５日間お時間をいただいておりますが、条件により迅速に対応できる場合がございます。ご相談くださいませ。

企業、大学などの研究開発にご利用いただくため、研究スペース・クリーンルームをレンタルラボとして低廉な賃料でご提供しております。

弊社はお客様から得た情報を第三者へ漏洩しないよう周知徹底し遵守しております。
（※ご希望によっては、秘密保持契約を結んでおります）
また、独立した注入・分析会社ですので、機密事項が系列の会社にわたってしまう心配がありません。

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる。