イオン注入・成膜・分析の技術と設備をあらゆる分野のイノベーションにつなげる。

• イオン注入によるナノ結晶の形成に関する研究
• レーザ同時照射による無欠陥イオン注入技術の開発
• 同時ドーピング法によるダイヤモンド価電子制御とｎ型化

SIMS

• 酸素リークによるSIMS深さ分析
• アルミイオン注入SIMS 深さ分析
• 砒素イオン注入SIMS 深さ分析
• 燐イオン注入SIMS 深さ分析
• SiC 基板へのAl イオン注入SIMS 深さ分析
• GaN 基板へのSi イオン注入SIMS 深さ分析
• 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定
• 組成比勾配のあるSi(1-x)Ge_x 試料の定量化

ESCA

• ESCA による多層膜の深さ分析
• ESCA による異物分析
• ESCA による化学結合分析
• マイクロESCA による分析
• マイクロESCA によるマッピング
• ESCA による酸化膜の角度分解分析_1
• ESCA による酸化膜の角度分解分析_2
• ESCA によるプリント基板電極組成分析

RAMAN

• Si on SiC基板におけるSiの応力測定
• 偏向RAMANによる４H-SiCno評価
• RAMAN によるシリコンの分析
• RAMAN によるカーボン材料の分析
• RAMAN によるカーボンナノチューブの分析
• RAMAN によるチタン化合物の分析
• RAMAN によるDLC の分析
• RAMAN による歪みSi-SiGe の分析

RBS，ERDA

• He(H)-RBS，ERDA による軽元素組成分析・密度測定

HR-TEM

• 高分解能TEM によるSiC（６H）の観察
• 高分解能TEM による界面の観察
• 高分解能TEM による量子井戸構造観察
• カーボンナノチューブの観察例
• SiC(4H)のHR-TEM 観察
• HR-TEM による４H-SiC の観察
• HR-TEM によるSiC-3C の観察
• HR-TEM によるSiC-3C 膜の観察
• HR-TEM によるデルタドープ層の観察
• HR-TEMによるイオン注入欠陥の観察
• HR-TEM による歪みシリコンの観察
• HR-TEM による半導体レーザー素子の観察
• HR-TEM によるSiC ポリタイプ変形観察
• FIB によるTEM サンプル加工
• ４H-SiCのHR-TEM観察
• ４H-SiCエピ層の積層欠陥のHR-TEM観察

その他

　　　
• EELS,XPSおよびRAMANによるDLC膜の結晶構造評価手法の検証
• HR-SEM による多層カーボンナノチューブの観察

• クラスターイオンビームプロセステクノロジー(NEGA)
• 極微量金属イオン注入制御による超機能耐環境材料の研究開発

• SiC半導体の伝導性制御に関する研究
• ZnO半導体薄膜デバイスの開発

• 加工・構造部材のナノ表面改質技術の高度化と応用に関する調査研究
• 高密度光デイスクメモリ用非球面レンズのナノレベル加工技術の研究
• 超格子／ナノ・ワイヤ及び磁場効果を利用した発電用エネルギー変換素子の基礎研究

• エコ・テーラードトライボマテリアル創製プロセス技術の研究開発
• エネルギー使用合理化燃焼等制御システム技術開発
• 安定性を向上させた全固体リチウム電池用新規無機電解質の開発

• ゴム・プラスチック用高品位・低コスト金型の研究開発
• 複合機能部材構造制御技術の研究開発

• 銀イオンによる歯科用材料の抗菌性付与に関する研究
• 歯垢付着防止型骨形成歯科材料に関する調査研究